SESAM半導(dǎo)體可飽和吸收鏡型號(hào)格式：SAM-λ-A-τ-x
? λ - 激光波長(zhǎng)
λ - 每個(gè)規(guī)格SESAM資料中給定的吸收率A對(duì)應(yīng)有效激光波長(zhǎng)。在大約±λ/ 50的波長(zhǎng)間隔內(nèi)，SAM仍然可以正常使用，參數(shù)沒(méi)有明顯變化。反射率R和波長(zhǎng)的吸收率A = 1-R的變化請(qǐng)參考對(duì)應(yīng)SESAM資料。
? A - 低強(qiáng)度吸收率
A- 低于飽和度的低脈沖通量的吸收率。由于下面的布拉格反射鏡的透射率消失，所以可以簡(jiǎn)單地通過(guò)A = 1-R從低強(qiáng)度反射率R推導(dǎo)出吸收率。
? τ - 吸收器弛豫時(shí)間
SAM從激光脈沖的前沿吸收一些光子。吸收的光子能量被分配給半導(dǎo)體吸收體價(jià)帶中的電子，其被激發(fā)到導(dǎo)帶中。由于來(lái)自價(jià)帶的許多激發(fā)電子在導(dǎo)帶中，吸收器被漂白并具有減小的吸收率。由于不同的效應(yīng)（例如聲子或光子發(fā)射），激發(fā)的電子在平均弛豫時(shí)間τ之后失去了多余的能量。該平均弛豫時(shí)間取決于半導(dǎo)體吸收材料的缺陷密度。
從能量的觀點(diǎn)來(lái)看，的弛豫時(shí)間τ應(yīng)略大于脈沖寬度。在這種情況下，由于在可飽和吸收器中的吸收而導(dǎo)致的光功率損耗是小的，并且可以期望吸收體在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)具有較低的退化。
另一方面，在一些情況下可以有利地使用具有比脈沖寬度更短的弛豫時(shí)間的SAM，以獲得穩(wěn)定的鎖模狀態(tài)。
? x – SAM封裝形式
1、固態(tài)激光器：
標(biāo)準(zhǔn)尺寸為4.0 mm x 4.0 mm和0.45 mm厚度的SESAM芯片中為了散熱，必須將SAM粘接或焊接在銅散熱片上。焊接具有熱導(dǎo)率，推薦用于平均光輸出功率> 0.2 W情況下。我們提供12.7 mm（1/2“）、25.0 mm和25.4 mm（1”）的標(biāo)準(zhǔn)直徑銅散熱器。25.0 mm直徑的散熱片也可作為水冷版本使用。
除了散熱器的選擇之外，焊接或粘合的SAM在散熱器上的位置也很重要。在一些情況下，安裝在散熱器的邊緣上可以更有利地獲得激光束到SAM的低入射角。
訂購(gòu)示例：SAM-1064-2-10ps-4.0-12.7se
2、光纖激光器
采用尺寸為1.3 mm x 1.3 mm的小型SAM芯片（光路中沒(méi)有任何膠水）對(duì)接可獲得穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)注意：由于在從空氣（n = 1）到二氧化硅（n = 1.46）的光纖對(duì)接耦合期間，SAM表面介質(zhì)發(fā)生變化，導(dǎo)致反射率R和吸收率A = 1 –R發(fā)生變化。這種改變?nèi)Q于SAM結(jié)構(gòu)（諧振、反諧振、介電覆蓋）的設(shè)計(jì)，并且還伴隨著SAM表面光場(chǎng)強(qiáng)度的稍微增加。
從光纖耦合SAM芯片去除耗散光功率：一些光功率被SAM芯片吸收，必須通過(guò)熱傳導(dǎo)來(lái)去除。
訂購(gòu)SAM用于光纖對(duì)接耦合有以下幾種封裝形式：
a、您可以自己封裝，訂購(gòu)一組4個(gè)小型SAM芯片，尺寸為1.0 mm x 1.0 mm或1.3 mm x 1.3 mm。
訂購(gòu)示例： SAM-1064-30-8ps-1.3b-0
可選項(xiàng)：FM-1.3 光纖散熱支架，適用于1.3 mm x 1.3 mm SAM芯片?？膳c任何帶FC / PC連接器的光纖一起使用。
b、您可以訂購(gòu)光纖耦合SAM。在這種情況下，SAM安裝到FC/PC接頭的陶瓷套圈上，光路中沒(méi)有任何膠水。您可以選擇各種類(lèi)型單模光纖，如HI-1060，PM 980（Panda），也可選擇另一個(gè)光纖端口上的端口類(lèi)型。我們的標(biāo)準(zhǔn)光纖長(zhǎng)度為1m。短的光纖長(zhǎng)度為15cm。
訂購(gòu)示例：SAM-1064-30-8ps-FC/ APC-PM980
可選：PHS， 光纖耦合SAM被動(dòng)散熱器，用于FC / PC端口。PHS可以用螺釘安裝在較大的金屬表面上。
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