日本napson熱電動勢接觸式PN探測器
樣品的導(dǎo)電類型（PN）通過將其與筆型探頭（熱/冷探頭集成型）接觸來確定
兼容單晶硅晶片，塊和錠
對于難以使用集成探頭判斷的樣品，您還可以選擇熱/冷探頭/分離類型。

日本napson熱電動勢接觸式PN探測器

熱電動勢接觸式PN探測器

產(chǎn)品名稱：PN-12α

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制）

產(chǎn)品特點(diǎn)

樣品的導(dǎo)電類型（PN）通過將其與筆型探頭（熱/冷探頭集成型）接觸來確定

兼容單晶硅晶片，塊和錠

*對于難以使用集成探頭判斷的樣品，您還可以選擇熱/冷探頭/分離類型。

測量規(guī)格

測量對象

與半導(dǎo)體/太陽能電池材料有關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）

測量尺寸

30x30mm以上

測量范圍

可用于PN測定的樣品電阻率范圍：1 m至20kΩ·cm 
*不能部分確定多晶硅，帶有膜的晶片以及表面呈鏡面狀態(tài)或被氧化的樣品

熱電動勢接觸式PN探測器

產(chǎn)品名稱：PN-12α

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制）

產(chǎn)品特點(diǎn)

樣品的導(dǎo)電類型（PN）通過將其與筆型探頭（熱/冷探頭集成型）接觸來確定

兼容單晶硅晶片，塊和錠

*對于難以使用集成探頭判斷的樣品，您還可以選擇熱/冷探頭/分離類型。

測量規(guī)格

測量對象

與半導(dǎo)體/太陽能電池材料有關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）

測量尺寸

30x30mm以上

測量范圍

可用于PN測定的樣品電阻率范圍：1 m至20kΩ·cm 
*不能部分確定多晶硅，帶有膜的晶片以及表面呈鏡面狀態(tài)或被氧化的樣品

日本napson熱電動勢接觸式PN探測器