C-25型單面光刻機 高精度

主要用途

  主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)。

  由于本機找平機構(gòu)，找平力小、使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

主要構(gòu)成

  主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場CCD顯微顯示系統(tǒng)、采用高均勻性的多點光源、 蠅眼、LED、曝光頭，PLC電控系統(tǒng)、氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)、直聯(lián)式無油真空泵、二級防震工作臺和附件箱等組成。

主要性能指標

1有三種版夾盤,能真空吸附5" ×5"或4" ×4"或3" ×3"方形掩板。對版的厚度無特殊要求（1～4mm皆可）。如果不同于上述尺寸的版，真空無法吸附，但可采用夾盤上的螺孔，和特殊的壓片固定版。

2設(shè)有相對應(yīng)的真空吸附基片的“承片臺”三個，分別適用于φ4，φ3，φ2片。對于非標準片或碎片，只要堵塞相應(yīng)的小孔，同樣能真空吸附。

3照明

光源：采用GCQ350Z型超高壓水銀直流汞燈。

照明范圍：≤110mm

不均勻性：ф100mm內(nèi)±3%

可使用的波長：g線、h線、I線的組合。

成象面照明：光照度2～20毫瓦/厘米2,任意可調(diào)(出廠時,照明度調(diào)在4mw/cm2)。

4采用進口時間繼電器（該繼電器可從0.1秒～999.9秒預設(shè)）控制真空快門，動作準確可靠。

5該機為接觸式光刻機，但可實現(xiàn)：

a. 硬接觸曝光：用管道真空來獲得高真空接觸,真空≤-0.05MPα。

b. 軟接觸曝光：接觸壓力可將真空降到-0.02MPα～-0.05MPα之間。

c. 微力接觸曝光：小于軟接觸,真空≥-0.02MPα。

6分辯率估計

如果用戶的“版”、“片”精度符合國家規(guī)定，環(huán)境、溫度、濕度、塵埃得到嚴格控制，采用正性光刻膠，且勻膠厚度得到嚴格控制。加之前后工藝的話，硬接觸曝光的最小分辨度可達1μm以上。如果作為批量生產(chǎn),建議使用在1.5μm以上。

7對準

對準顯微鏡：

   1、由兩支變焦顯微鏡，兩支CCD攝像頭，一臺液晶顯示器和X.Z方向調(diào)節(jié)機構(gòu)組成。

   2、該顯微鏡雙物鏡距離可調(diào)。

   3、該顯微鏡既可通過顯示屏同時看見兩物鏡的象，也可轉(zhuǎn)換成只看左物鏡或右物鏡的象。

   4、總放大倍數(shù)：0.7×42～4.5×42=30X～189X。

對準臺：（采用片動，版不動方式）

X、Y調(diào)整：硅片X、Y的對準采用切斯曼機構(gòu)或微分頭調(diào)節(jié)。

粗調(diào)≥±3mm

細調(diào)≤±0.3mm。

Q調(diào)整：轉(zhuǎn)角≤3°（另設(shè)粗調(diào)機構(gòu)，可進行±15°粗調(diào)）

對準間隙（分離間隙）0∽50μm任意可調(diào)。

整個對準臺相對于顯微鏡可作±15mm掃描運動。

“接觸、分離”20μm情況下，片相對于版的“漂移量”，可調(diào)到≤0.5μm。

8設(shè)備所需能源

主機電源： 220V±10%   50HZ

潔凈空氣≥0.4mpα

真空：-0.07～－0.08MPα。

9尺寸和重量

尺寸：機體900（長）×674（寬）×882（高）。

重量：150Kg。

機體放在專用工作臺上。

工作臺630（長）×654（寬）×645（高）。

高度可調(diào)范圍0～30mm。

重量180Kg（工作臺后側(cè)裝有電氣部分）。

總重量≤330Kg

10光刻機的組成

l 主機

主機（含機體和工作臺）

對準采用CCD雙視場系統(tǒng)

蠅眼光源曝光頭

l 附件

主機附件

3"□型掩版夾盤

4"□型掩版夾盤（出廠時安裝到機器上）

5"□型掩版夾盤。

用于φ2"基片的真空夾持承片臺。

用于φ3"基片的真空夾持承片臺（出廠時安裝到機器上）。

用于φ4"基片的真空夾持承片臺。