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二極管、三極管和集成電路等電子元器件靜電放電敏感度要用EST883靜電放電模擬器，是為測(cè)量元器件的靜電放電模擬器，它輸出電壓范圍寬 HBM（0～±20000V)， MM:0～±2000V，CDM：0～±2000V，精度高(0.5%),分辨率高(1V),其輸出電壓和波形符合軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD、 *軍標(biāo)GJB、ESD協(xié)會(huì)、JEDEC, IEC等標(biāo)準(zhǔn) 的微電子器件試驗(yàn)方法和程序 靜電放電敏感度分類標(biāo)準(zhǔn)要求、半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法靜電放電敏感度分類 靜電放電模擬器，能測(cè)試從二極管、三極管到各種IC的靜電放電敏感度
符合國(guó)內(nèi)外新ESD標(biāo)準(zhǔn)
主要器件美進(jìn)口
超亮LED顯示器，高精度超穩(wěn)定高精度雙級(jí)控制輸出電壓
主要組成：超亮LED顯示器，高精度超穩(wěn)定雙級(jí)無(wú)級(jí)調(diào)節(jié)電子式高壓電源，內(nèi)置溫濕度傳感器，標(biāo)準(zhǔn)的阻容網(wǎng)絡(luò)、美進(jìn)口的主開(kāi)關(guān)等
采用比液晶顯示器（LCD）更亮的自發(fā)光LED紅色數(shù)碼管，人眼對(duì)紅色光源比LCD更靈敏，所以顯示更醒目易見(jiàn)，讀數(shù)*確更清楚
通用的工作電源：AC100～240V, 50/60Hz.
工作溫度：0-40度 相對(duì)濕度：20-80% LED比LCD適應(yīng)環(huán)境范圍更寬，
自任意設(shè)置和切換單次放電、連續(xù)放電，手動(dòng)操作，自動(dòng)放電
輸出電壓:   HBM:  0～±20kV,
輸出電壓精度：0.5%讀數(shù)+0.2%FS， 采用雙級(jí)無(wú)級(jí)調(diào)節(jié)，精度更高，操作更簡(jiǎn)便，工作效率更高，比有國(guó)*標(biāo)準(zhǔn)精度高
輸出電壓極性: 正或負(fù)及0
放電次數(shù)設(shè)定：1-9999
放電間隔：0.01秒步進(jìn)精確數(shù)碼設(shè)置， 大99.99秒，方便任意設(shè)置
一鍵STARE/STOP(啟動(dòng)/停止) 簡(jiǎn)易完成測(cè)試
準(zhǔn)*度優(yōu)于新標(biāo)準(zhǔn)美*、IEC、中*等各標(biāo)準(zhǔn)
(HBM/MM/CDM,0～±16000V)
二極管、三極管和IC的HBM/MM/CDM ESD測(cè)試
（電子元器件靜電放電敏感度分類試驗(yàn)專用）
(HBM：0～±20000V， MM：0～±2000V  CDM：0～±2000V)
（注）可根據(jù)用戶訂做其它模型如機(jī)器模型(MM)或其它特殊要求模型的儲(chǔ)能電容、放電電阻和充電電阻要求的靜電放電模擬器

EST901皮秒方波脈沖發(fā)生器_納秒方波發(fā)生器_納秒噪聲發(fā)生

快速矩形波脈沖發(fā)生器輸出波形上升極快的高壓方波超陡波波脈沖，輸出上升時(shí)間可以快到小于100皮秒(0.1ns)納秒，*高脈沖電壓可達(dá)±30kV，輸出電壓連續(xù)可調(diào)的矩形快速脈沖，脈沖寬度5ns-200ns（也可由用戶定做）,輸出脈沖可以單次也可重復(fù)，可用于絕緣材料空間電荷的高分辨率的準(zhǔn)*測(cè)量，保護(hù)器件TVS, MLV和電磁脈沖保護(hù)器件等保護(hù)器件的I-V特性測(cè)試和芯片ESD測(cè)試的理想設(shè)備。
技術(shù)指標(biāo)：
輸出脈沖電壓：0.01～±5kV連續(xù)可調(diào)(其它電壓可以定做)

脈沖上升時(shí)間：100ps(0.1ns)～0.8ns　(可定做）
脈沖寬度：1ns～1000ns (其它脈沖寬度要求可定做）
輸出波形：矩形、Delta波，指數(shù)波等，可定做
輸出阻抗: 50Ω (其它輸出阻抗可訂做）
電壓顯示分辯率：1V 或0.1V
輸出脈沖重復(fù)頻率：手動(dòng)：?jiǎn)未?1P,只觸發(fā)1次)
自動(dòng)：重復(fù)連續(xù)可調(diào), 從0.02Hz到200kHz (根據(jù)電壓定） 或遠(yuǎn)程控制
可變脈寬納秒發(fā)生器，噪聲發(fā)生器，陡波發(fā)生器
100ns 脈沖寬度  （時(shí)基20ns)
上升前沿0.334ns=334ps    (10ns時(shí)基)
上升前沿沿波形約0.251ns=251ps   0.1ns時(shí)基 
上升時(shí)間小于1ns, 脈寬100ns, 1～±10kv 納秒發(fā)生器，噪聲發(fā)生器，陡波發(fā)生器
可變脈寬納秒發(fā)生器，噪聲發(fā)生器，陡波發(fā)生器
100ns 脈沖寬度  （時(shí)基20ns)
上升前沿0.334ns=334ps    (10ns時(shí)基)
上升前沿沿波形約0.251ns=251ps   0.1ns時(shí)基 
上升時(shí)間小于1ns, 脈寬100ns, 1～±10kv 納秒發(fā)生器，噪聲發(fā)生器，陡波發(fā)生器
典型應(yīng)用：
納秒級(jí)皮秒超陡前沿脈沖高壓發(fā)生器在空間電荷的測(cè)量的應(yīng)用 （NEW）
ESD保護(hù)器件TVS性能測(cè)試
電磁兼容(EMC)試驗(yàn)
強(qiáng)電磁脈沖敏感度(EMI)試驗(yàn)
電磁環(huán)境效應(yīng)(E3)試驗(yàn)   
電磁脈沖防護(hù)器件測(cè)試方法：限幅響應(yīng)時(shí)間和過(guò)沖峰值電壓測(cè)試
時(shí)間的科學(xué)記數(shù)法：
1ms (毫秒) 1毫秒=0.001秒=10-3秒 ＝千分之一秒
1μs (微秒)  1微秒=0.000001=10-6秒＝百萬(wàn)分之一秒
1ns (納秒) 1納秒=0.0000000001秒=10-9秒＝十億分之一秒
1ps (皮秒) 1皮秒=0.0000000000001秒=10-12秒＝萬(wàn)億分之一秒